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Engenharia Elétrica ·

Eletrônica Analógica

· 2022/1

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Exemplo: JFETs Configuração Porta-Comum Determinar: Substituindo Vss=0 nas equações e com as caracteristicas de fonte comum temos: VGS = 0 - IDRS então VGS = -IDRS Devemos escolher um ponto qualquer na equação de carga, ja que a origem é o ponto inicial . Escolhendo ID = 6 mA e resolvendo para VGS temos: VGS = -IDRS = -(6 mA)(680 ) = -4.08 V Que resulta em: 1.74 Cálculo da transcondutância  3  2  1 0 2 10 3   4 10 3   6 10 3   8 10 3   ID Vgs ( ) ID2 Vgs ( ) Vgs ID2 Vgs ( ) Vss Vgs  RS  Cálculo da impedância de entrada Cálculo da impedância de Saída Cálculo do Ganho de tensão Av I_D = I_S V_{DS} = V_{DD} - I_D(R_S + R_D) V_S = I_D R_S V_G = 0 V V_D = V_{DS} + V_S = V_{DD} - V_{RD} I_D = I_{DSS} \left(1 + \frac{I_D R_S}{V_P}\right)^2 I_D(V_{gs}) := I_{dss} \left(1 - \frac{V_{gs}}{V_p}\right)^2 I_D + K_1 I_D + K_2 = 0 I_{DSS} = 6 \text{ mA} V_P = -6 \text{ V} ID Vgs ( ) Idss 1 Vgs Vp    2   ID2 Vgs ( ) Vss Vgs  RS  RS Idss  1 Vgs Vp    2   Vgs solve 10.334807942075776717  3.4833738761060414646     3,483 MOSFETs TIPO INTENSIFICAÇÃO Polarização com realimentação Exemplo: Determinar: MOSFETs TIPO INTENSIFICAÇÃO Polarização com realimentação Análise do Laço Porta-Fonte: A partir da análise do laço Dreno-Fonte, sabe-se: Então: Substituindo na Eq. de transferência:   2 D DD D D GS( Th ) I k V I R V        Simplificando, resulta uma Eq. de segundo grau que deve ser resolvido. Determinado IDQ é possível encontrar, VGSQ, VDSQ, VDQ, VSQ, etc. MOSFETs TIPO INTENSIFICAÇÃO Polarização com realimentação Solução gráfica para encontrar o ponto “Q” Análise do Laço Dreno-Fonte: Resolvendo a eq. Para k, temos VD=Vdd - 2,75mA * 2k = 6,5 V Precisamos antes calcular a constante do transistor: Depois de desenhar a curva podemos retirar os valores do ponto quiescente e calcular VD Calculamos pontos para desenhar a curva